上述的單次寫入、多次讀取(write-once-read-many,WORM)內(nèi)存能利用包裝產(chǎn)業(yè)常見的軟板(flexographic)或噴墨印刷技術(shù),直接制作在產(chǎn)品或包裝上;根據(jù)研究人員的實(shí)驗(yàn),每個(gè)可寫內(nèi)存位尺寸約0.2×0.3mm,內(nèi)含兩種市面上的銀納米粒子油墨混合,以一般的滾動(dòng)條 (R2R)印刷制程印出實(shí)際位以及關(guān)聯(lián)的寫入/讀取電極,然后干燥。
在寫入之前,每個(gè)位是在高電阻的1狀態(tài);寫入一個(gè)位是以在位施加一道低電壓(10V以下)來(lái)達(dá)成;那實(shí)際上是燒結(jié)(sinter)相鄰的銀納米粒子, 并產(chǎn)生最小電阻的路徑,因此將內(nèi)存位由高電阻的0狀態(tài)轉(zhuǎn)至低電阻的1狀態(tài)。該燒結(jié)步驟是不可逆的,意味著內(nèi)存內(nèi)的數(shù)據(jù)只能寫入一次,但讀取次數(shù)則是無(wú)限制。
VTT 實(shí)驗(yàn)室能在厚度125um的耐熱PET基板上印出一卷長(zhǎng)度為150公尺,內(nèi)含1萬(wàn)個(gè)印刷式WORM內(nèi)存區(qū)塊(memory bank);而在先前的實(shí)驗(yàn)中,研究人員也證實(shí)了印刷于紙上的內(nèi)存位燒結(jié)能力。每個(gè)內(nèi)存區(qū)塊內(nèi)含在R2R生產(chǎn)在線自動(dòng)模切(die-cut)的線性位數(shù)組,每個(gè)位因此能藉由量測(cè)橫跨的電阻來(lái)順序讀取。
更大的內(nèi)存則需要以2D位數(shù)組結(jié)構(gòu)來(lái)限制電氣觸點(diǎn)的數(shù)量,負(fù)責(zé)印刷與混合功能組件、印刷內(nèi)存與電子組件開發(fā)的VTT首席科學(xué)家Ari Alastalo表示,會(huì)需要布置與每個(gè)位串聯(lián)的二極管,或是利用更精細(xì)的讀出電子組件來(lái)消除位之間的串?dāng)_(cross talk)。
Alastalo 解釋,事實(shí)上WORM不會(huì)限制讀取電壓,而是藉由讀出電子組件;WORM只是被量測(cè)的電阻,其位尺寸可以非常小,能以RFID或NFC讀取器所轉(zhuǎn)換的能源來(lái)讀取。這種電阻式WORM內(nèi)存的一個(gè)有趣功能,是也能以非接觸形式讀取,不需要實(shí)際接觸位來(lái)量測(cè)電阻,位電阻能以掃瞄式讀取器透過(guò)電容式近場(chǎng)量測(cè)來(lái)讀取。
VTT實(shí)驗(yàn)室正在進(jìn)一步在不同的應(yīng)用領(lǐng)域測(cè)試并證實(shí)該內(nèi)存技術(shù),同時(shí)也正在尋求合作伙伴將此專利制程技術(shù)推向商業(yè)化。